快速退火炉系统的概述

   快速退火炉是现代大规模集成电路生产工艺过程中的关键装备。主要用于离子注入后杂质的激活、浅结制作、生长高质量的氧化膜层和金属硅化物合金形成等工艺。随着集成电路工艺技术的飞速发展，开展快速退火炉系统的技术研究，对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉装备，有着十分重要的理论意义和工程应用价值。

    快速退火炉是在非常短的时间内(经常是几秒钟)，将单个硅片加热至400~1250℃温度范围内的一种半导体热处理工艺设备.随着IC工艺技术的发展，己逐渐成为先进半导体制造必不可少的一项工艺装备，用于氧化、退火，金属硅化物的形成和快速热化学沉积。在常压或低压下，RTP系统采用辐射热源对硅片进行单片加热，温度侧盘和控制通过高温计完成。

    大多数的RTP采用多燕卤钨素灯组组装在一起作为热源。卤钨素灯通常安装在硅片的顶部或底部，数目可达数百盏。它们被置于多个区域里。这可使硅片上温度等高。这种等高温度分布可以补偿可能发生在升温过程中的加热和冷却的不均匀性。卤钨素灯将产生短波长辐射，硅片加热依靠选择性吸收卤钨灯的辐射。

    RTP的温度控制依靠热电偶或光学高温计完成.热电偶和硅片直接接触，确定硅片的真实温度。虽然热电偶相对可靠，但是它晌应时间慢，并且在高温时其寿命会变短。而光学高温计可以采用非接触式侧量，响应时间快，快速退火炉通过对硅片加热，探测硅片表面的红外辐射能量来实现。

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