快速退火炉系统总体方案、关键系统
针对灯光辐射加热、单点侧温方式的快速退火炉系统进行研究，解决了热源功率的理论计算，完成了快速退火炉系统总体方案、关键系统与部件、辅助系统等部件的设计，试验验证总体设计方案能够实现快速退火炉系统的主要技术指标。
主要研究工作及结论如下:
(1)在综合分析快速退火炉系统各种方案的技术基础上，确定采用上下两排成正交的灯管作为热源、温度测量采用单点测温的总体技术方案。系统具有结构紧凑、结构简单、制造加工容易、高度自动化等特点。
(2)通过热传导基本理论分析，建立加热系统模型，以系统的主要技术指标为输入参数计算加热系统所需的功率。在求得加热功率的前提下完成热源与反应腔体、硅片传送系统、冷却系统等设计。
(3?针对快速退火炉温度瞬变的特点，设计了一种基于系统模型的温度控制器:针对硅片表面温度边缘场效应的现象，提出热源分区设计与分区控制的方法，较好地解决了工艺过程中硅片表面温度均匀性问题。
(4)为保证系统控制的最优化，对硅片传送流程、主控制流程分别进行时序结构优化设计，提高了系统的传片效率及系统响应时间。墓于，windows2000操作系统开发的快速退火炉系统控制软件，采用模块化、多线程设计方法实现了整机的全自动控制.控制软件系统具有友好的图形用户界面、实时数据采集、状态参数显示、故障自诊断及故障报警等功能.
(5)研究了在不同条件下硅晶片的退火试验，获得了最佳退火温度、最佳退火时间等工艺参数。各项试验结果表明系统在总体方案、各分系统及部件设计与实现上是可行性的。
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